使有更好的機(jī)械性能與穩(wěn)定性、良好的光學(xué)和電子性能，混合結(jié)構(gòu)無機(jī)核心的使用是有希望的。在籠型倍半硅氧烷（POSS）的通式（RSiO / 2）n中，R是一個(gè)有機(jī)的群體，已被用于有機(jī)發(fā)光二極管（OLED），這表明穩(wěn)定性的提高，甚至電致發(fā)光性能的增強(qiáng)。有機(jī)組件的退化機(jī)制尚未充分理解，但缺陷在光POE內(nèi)飾片材擠出機(jī)_ POE內(nèi)飾片材設(shè)備_學(xué)設(shè)備和電學(xué)特性中發(fā)揮了關(guān)鍵的作用。為了提高這些材料的穩(wěn)定性，缺陷的資料的使用也是非常重要的。不同的技術(shù)，如電流電壓（I-V）的特點(diǎn)，阻抗譜，熱刺激電流，或深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的分析已被用來確定有機(jī)材料的缺陷參數(shù)在這項(xiàng)研究中，我們研究了由聚（2,3-二苯基-1，4-苯乙烯）（DP- PPV）和籠POE內(nèi)飾片材擠出機(jī)_ POE內(nèi)飾片材設(shè)備_型倍半硅氧烷的無機(jī)核心（POSS-DP-PPV）組成的發(fā)光二極管作為混合發(fā)光材料，我們已經(jīng)調(diào)查了設(shè)備的缺陷態(tài)，并通過深能級(jí)瞬態(tài)譜或Q-DLTS用雜化材料作為發(fā)射極。這種技術(shù)不同于傳統(tǒng)的深能級(jí)瞬態(tài)譜用電荷變化代替電容變化的測(cè)量。在結(jié)果中，我們將討論

POSS-DP-PPV的分子結(jié)構(gòu)

雙層裝置是制備鈣（Ca）陰極和銦錫氧化物（ITO）陽極之間的夾層結(jié)構(gòu)。50納米厚的孔注入層聚（乙撐）摻雜聚（苯乙烯）是旋涂在銦錫氧化物頂端7毫克/毫升分散的水中并在150℃的真空中干燥1小時(shí)。POSS-DP-PPV（200 nm）的薄膜是旋涂在甲苯溶液的PEDOT:PSS層并在50℃下干燥。后，35納米鈣和100納米鋁電極通過使用熱蒸發(fā)AUTO 306真空鍍膜機(jī)POE內(nèi)飾片材擠出機(jī)_ POE內(nèi)飾片材設(shè)備_在聚合物膜陰極形成沉淀。蒸發(fā)通常在基礎(chǔ)壓力低于 毫巴下進(jìn)行。二極管電流電壓的特性使用Keithley 2400源表測(cè)量。深能級(jí)瞬態(tài)譜的測(cè)量是使用自動(dòng)化POE內(nèi)飾片材擠出機(jī)_ POE內(nèi)飾片材設(shè)備_系統(tǒng)完成的，ASMEC-06由InOmTech公司提供并在以前的研究中描述過。為了確定缺陷能級(jí)，得到的光譜在220K-320K溫度范圍內(nèi)變化。所有的測(cè)量在真空和黑暗環(huán)境中進(jìn)行。